2023年5月24-26日，SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源(上海)大會暨展覽會，在上海新國際博覽中心如期開展。新葡京平臺微電子作為國內功率半導體的技術領先者，向來訪者展示了應用于光伏、新能源的多款高性能功率？、高能效IGBT器件以及高功率SiC器件等產品和方案。本次展品主要聚焦三大亮點：一是新葡京平臺光伏儲能？椴罰是新葡京平臺光伏新能源IGBT器件產品方案，三是新葡京平臺SiC器件產品方案，吸引了大量現場客戶和觀眾駐足觀看和交流。
一、新葡京平臺光伏儲能模塊
新葡京平臺光伏儲能？椴罰橇斯ど桃、組串電站、儲能、集中式電站等領域，尤其在逆變器產品方面表現優異。
1、工商業逆變器
推薦產品：逆變？椋↖NPC）——SGM450TL7D3TFD
? 使用場合：工商業逆變？，輸出功率125kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻650V IGBT，開關損耗。
? 封裝特性：采用新葡京平臺D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
2、組串電站逆變器
推薦產品：升壓？椋ǚ煽淶縟輇oost）——SGM400DCD10D3BTFD
? 使用場合：組串電站MPPT升壓，面板單路電流60A；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻950V IGBT，開關損耗。
? 封裝特性：采用新葡京平臺D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
推薦產品：逆變？椋ˋNPC）——SGM400TL10A7BTFD
? 使用場合：組串電站逆變？椋涑齬β225kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻950V IGBT，開關損耗。
?封裝特性：采用新葡京平臺A7封裝，采用絕緣DBC直接散熱。
推薦產品：逆變？椋ˋNPC）——SGM600TL10D5TFD
? 使用場合：組串電站逆變模塊，輸出功率320kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻950V IGBT，開關損耗。
?封裝特性：采用新葡京平臺D5封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
3、儲能逆變器
推薦產品：逆變？椋↖NPC）——SGM225TL12D4DTFD
? 使用場合：儲能逆變？，輸出功率100kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻1200V IGBT，開關損耗。
? 封裝特性：采用新葡京平臺D4封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
4、集中式逆變器
推薦產品：逆變？椋ò肭牛——SGM800HF12A3TFD
? 使用場合：集中式逆變？椋
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻1200V IGBT，開關損耗。啥嗖⒘τ茫
? 封裝特性：采用新葡京平臺A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
推薦產品：逆變模塊（半橋）——SGM800HF12B4TFD
? 使用場合：集中式逆變？椋
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻1200V IGBT，開關損耗小，可多并聯應用；
?封裝特性：采用新葡京平臺A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
二、新葡京平臺IGBT器件產品方案
新葡京平臺IGBT器件產品，隨著8吋和12吋產能的建設，實現研發和工藝的顯著提升，其中FS5 Trench IGBT 量產，650V IGBT合封SiC SBD 量產，車規級IGBT 量產，12吋 IGBT 量產，并且新一代工藝的IGBT和大功率 IGBT產品研發工作也在順利推進中。
三、新葡京平臺SiC器件產品方案
2022年，新葡京平臺在SiC器件產品的研發上取得了新的突破，650V SBD 研發成功，1200V SBD 研發成功，明鎵6吋SiC晶圓量產通線，第二代1200V SiC MOS 研發成功，參數性能達到國際領先水平。
光伏新能源應用——新葡京平臺1200V 40mΩ SiC MOS
SCDP120R040NP4B 采用新葡京平臺微電子碳化硅技術制造，具有很低的傳導損耗和開關損耗，使得功率轉換器具有高效、高功率密度等特點。該產品可廣泛應用于開關電源、逆變器、DC-DC轉換器等領域。
特點：
? 66A，1200V，RDS(on)(typ.)=40mΩ@VGS=15V
? 碳化硅技術
? 開關損耗低
? 低反向恢復電荷
? 降低散熱要求
? 100%雪崩測試
? 無鉛管腳鍍層
? 符合RoHS環保標準
光伏新能源應用——新葡京平臺1200V 30A SiC SBD
SCDP30S120P2 采用新葡京平臺微電子碳化硅外延工藝制造而成的肖特基整流二極管，廣泛應用于開關電源、不間斷和輔助電源、光伏逆變器等領域。
特點：
? 30A，1200V
? 零反向恢復電流
? 正溫度系數
? 低開關損耗
? 散熱要求低
四、現場掠影
新葡京平臺微電子利用自身在高壓智能功率？榧際、第三代功率半導體器件技術、綠色電源芯片技術等多個芯片設計領域的積累，以及不斷強化的工藝平臺開發能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產能力、先進化合物半導體生產能力，為光伏、新能源客戶提供優質的芯片產品系列和系統性的應用解決方案，助力產業的蓬勃發展。
